闪存厂商加速向128层堆叠进发：节约成本

最近有报道称NAND闪存价格跌幅将收窄，到年底价格将不再继续下降，目前我们也感觉到了这一趋势，但价格的降低会让NAND芯片制造商们加速部署更先进的技术，根据Digitimes的报道，芯片制造商银镜加强了各自的120/128层3D NAND闪存工艺技术的开发。

根据外媒报道，东芝、西数已经有计划推出128层3D TLC工艺的NAND芯片，而厂商加强120/128层NAND闪存的研发及加速量产的原因还是来因为NAND闪存价格的持续下跌及供求关系不确定导致其因成本原因加速技术升级来提升其成本结构。

根据预计主流NAND芯片供应商都将在2020年推出128层的3D NAND芯片，同时在报道中称长江存储也将会跳过72/96层3D NAND，直接生产128层闪存。