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速度翻2倍为5G手机铺路 西数发布UFS3.0存储芯片

从2017年UFS2.1普及到如今已经有两年了,一年前JEDEC(固态技术协会)正式公布了UFS3.0的技术标准:单通道可以达到11.6 Gbps,是UFS 2.1标准的两倍。

而今年一月份,东芝宣布开始出货UFS3.0产品,采用了96层3D NADA,并提供了256Gb和512Gb单颗Die容量。今天在MWC19展会现场,Western Digital(西部数据)宣布将推出最大容量为512Gb的UFS3.0芯片,同样采用了96层的3D TLC NADA。

西部数据的UFS3.0芯片

西数最新的3D NAND存储器还支持其专有的iNAND SmartSLC Gen 6技术,该技术能最大限度地提高顺序写入速度。其实也就是用TLC模拟SLC缓存,与目前m.2固态芯片类似。

其实就是TLC模拟SLC

使用该技术后,连续写入速度这可以高达750MB/s,更高的持续写入速度能帮助5G时代的设备最大化的利用高速的网络带宽。

其他功能上,Western Digital的EFD支持UFS 3.0错误历史记录,可以进行固件热升级。

目前,Western Digital计划提供64 GB,128 GB,256 GB和512 GB四种存储大小的UFS3.0芯片,并全部使用行业标准的11.5×13×1 mm封装。估计再过半年,我们就能看到有设备使用UFS3.0芯片了。

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