国产64层3D NAND明年量产

近日，紫光集团旗下长江存储传出好消息：长江存储CEO杨士宁先生透露，公司自主研发的64层3D NAND闪存芯片将于明年第4季度量产，而64层堆叠数也是国产3D NAND颗粒的最高级别。

3D NAND（图片源自anandtech）

在关键技术上，长江存储将在64层3D NAND芯片上引入全新架构Xtacking，该架构在一片晶圆上实现独立的外围电路，负责数据I/O及记忆单元操作，通过此方式将SSD的I/O速度提升到3Gbps。

在今年4月份，长江存储研发的32层3D NAND芯片已经实现量产，并获得第一笔10776颗芯片的订单，但相比64层堆叠，32层的3D NAND芯片市场竞争力并没有那么大。

放眼整个存储市场，三星、东芝/西数、英特尔/美光、SK海力士几大半导体厂商即将实现96层3D NAND，甚至去进击128层堆叠，长江存储也决定在64层实现量产后，直接挑战128层堆叠技术。

小编点评：长江存储研发的32层 3D NAND已经填补了中国在NAND Flash领域的空白，虽然64层，甚至是128层堆叠很难，但现在我们唯一能做的，便是默默为长江存储加油，期待这一天的到来。