5.5英寸骁龙801 中兴Grand SⅡ LTE图赏

【中关村在线】中兴GrandSII评测： 中兴Grand S系列的第二款机型——中兴Grand SⅡ首次亮相是在今年年初的CES2014展上，相比上一代中兴Grand S，该机的外观设计有了很大改变，而硬件配置更是与时俱进的搭载了目前性能最强的高通骁龙801处理器，同时该加入了对LTE网络的支持，是这款新机顺理成章的成为了中兴的最强旗舰机型。

中兴Grand SⅡ LTE拥有5.5英寸1920*1080分辨率多点触摸大屏幕，搭载了一颗高通骁龙801四核处理器，处理器主频为2.3GHz，机身配备了2GB运行内存和16GB的存储空间，同时拥有前置200万像素和后置1300万像素双摄像头，支持TD-LTE 4G网络，同时兼容TD-SCDMA网络和WCDMA网络，并配有一块3100毫安时大容量电池。

此次中兴Grand SⅡ LTE配备了采用全贴合技术的5.5英寸178°全视角IPS大屏，分辨率达到1920x1080像素的FULL HD级别，显示效果十分细腻。200万像素前置摄像头看起来并不出彩，但实际拍摄效果还是能够让人接受的。

中兴Grand SⅡ LTE采用骁龙801 MSM8974AB四核芯处理器，拥有四颗Krait 400核心，高通Adreno330主频率提升至550MHz，内存存取速率提升17%，综合性能表现十分突出，比上一代骁龙800要强出更多，这使得该机在跑分表现上同样给力，接近35000的得分。

中兴Grand SⅡ LTE采用了具有金属拉丝般质感的设计，和以往的金属拉丝设计手机不同的是，中兴Grand SⅡ LTE给人带了更多刚毅的感觉。中兴Grand SⅡ LTE机身背面是一颗1300万像素摄像头，在摄像头上方设计有一个降噪麦克风，左侧是一个扬声器，而右侧拥有一颗LED闪光灯。

中兴Grand SⅡ LTE机身的四个角比较圆润，机身侧面的设计同样是十分简洁的，机身底部的是Micro USB接口，而3.5毫米耳机接口被设计在机身顶部，电源键和音量调节按键被设计在机身右侧，机身左侧下方还有一个开启机身后盖的抠槽。

中兴Grand SⅡ LTE采用了可更换的电池的设计，机身内部标配了一块3100毫安时的电池，能能够提供非常良好的续航能力。中兴Grand SⅡ LTE为单卡机型，SIM卡插槽和Micro SD存储卡插槽都位于电池的上方。

5.5英寸大屏幕，2.3GHz高四核处理器，200万+1300万像素高清摄像头，支持LTE 4G网络，这可以说中兴Grand SⅡ LTE的硬件配置规格非常高，而中兴Grand SⅡ LTE的售价却仅仅为1699元，性价比高到这种程度的智能手机在如今的市场确实很少见。

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