最高1600Mbps 南亚下代DDR3内存出样

在SemiTech 2006大会上，南亚科技全球市场营销副总裁Pei-lin Pai表示，他们计划在今年下半年开始向其客户出样DDR3内存颗粒。

Pei-lin Pai表示，南亚并不期望DDR3内存能够在2008年前为其贡献很多收入。今年，DDR3颗粒将采用90nm工艺制造。而在DDR3渐渐普及之后，这种颗粒的生产将过渡到70nm工艺。这可能要等到2008年。

南亚DDR3内存

DDR3采用较低的工作电压（1.5V，而DDR2是1.8V）、8位预取架构（DDR2采用4位预取架构）并内置热感器。DDR3内存的规格包括：数据传输率范围是800Mbps～1600Mbps（DDR3-800～DDR3-1600），CAS延迟范围为5～10，提供PASR和ASP节能模式。

目前，JEDEC组织正在对DDR3内存的规格问题进行讨论，Pei-lin Pai认为标准的最终确定要等到明年年底或2008年上半年。

在SemiTech大会上，南亚展示了其240pin 1GB DDR3内存，它采用512Mbit DDR3-1066颗粒，提供了最大8.5GB/s(PC3-8500)的带宽。