全球内存价格普涨：DDR4三月涨24%，HBM扩产加剧DRAM与NAND供应紧张

2026年10月13日，投资银行巴克莱最新研究报告显示，全球内存市场正面临显著的价格波动。过去三个月内，DDR4内存芯片的合约价格累计上涨24%，涨幅高于技术更新的DDR5内存，后者同期上涨20%。

细分来看，截至2026年10月，DDR4内存芯片合约价单月环比上升4%，三个月累计涨幅达24%；DDR5内存芯片合约价单月环比上涨3%，三个月累计涨幅为20%。尽管DDR5代表更先进制程与更高性能，但本轮涨价中，DDR4价格表现更为强劲，反映出新旧两代平台均已受到供应紧张的实质性影响。

报告指出，当前存储器持续短缺促使厂商更多采用长期供应协议，这在一定程度上增强了业务收入的可预测性。与此同时，协议定价机制正逐步贴近实时市场供需水平，此前设定的价格浮动上下限作用趋于弱化。

另一家国际投行的分析也支持上述判断。其研究预计，DRAM与NAND闪存市场整体供应缺口将延续至2028年。具体而言，DRAM供需失衡将在2027年第四季度达到峰值，缺口率升至13.9%；NAND供需缺口则于2028年第一季度见顶，达8.3%，此后数月才开始缓慢收窄。

值得注意的是，高带宽内存HBM作为人工智能应用的关键组件，其生产高度依赖现有DRAM制造资源。为满足HBM快速增长的需求，主要厂商已主动调整产线配置，将更多产能优先投向DRAM领域。这一策略虽缓解了HBM供应压力，却进一步加剧了NAND闪存的产能约束，形成跨品类的连锁供应紧张效应。