铠侠与闪迪联合发布332层QLC 3D闪存，密度达37 Gb/mm²创行业新高

铠侠与闪迪于2026年8月6日联合推出新一代QLC 3D闪存技术。该技术采用332层垂直堆叠结构，并配合精细化的电路布局设计，使单位面积存储密度较上一代提升约六成，达到37 Gb/mm²以上，在位密度、读写性能及能效表现等方面均刷新行业纪录。

此次技术升级首次应用CBA工艺，即CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上独立制造，再通过高精度晶圆对准与键合实现三维集成。这一工艺显著提升了芯片集成度，同时为更高带宽的NAND接口提供了硬件基础。

新产品支持Toggle DDR6.0接口规范及SCA通信协议，成为首款NAND I/O传输速率突破4.8 Gbps的QLC 3D闪存解决方案。同步引入的PI-LTT技术进一步优化了数据传输过程中的功耗分配，在降低整体能耗的同时，提升了I/O能效比。面对人工智能应用持续扩展带来的海量数据处理需求，该能效改进对数据中心可持续运行具有现实意义。

该技术基于第十代BiCS FLASH平台开发。此前一个月，采用相同332层堆叠结构的TLC版本样品已启动量产交付，其位密度为29 Gb/mm²；而当前QLC版本在同等工艺条件下实现了更高水平的存储密度。

目前，铠侠正同步推进两条技术演进路径：第九代BiCS FLASH聚焦成本效率与均衡性能，以较低投入满足主流应用场景；第十代BiCS FLASH则依托更先进的堆叠工艺，专为超大容量存储与高性能计算等严苛需求设计，从而覆盖多元化的市场定位。