三星华城园区DRAM前后段一体化整合扩产，年末产能将提升15%

二零二六年七月二十七日，全球主要动态随机存取存储器价格在上半年累计上涨逾百分之八十。为应对市场变化并巩固与苹果等核心客户的合作关系，三星正加快推进华城园区DRAM产能整合与扩建。

本月起，三星内存制造技术中心已在华城园区一号厂启动大宗DRAM后段产线建设。后段制程是晶圆制造前段流程的最终环节，负责将主厂完成的晶体管等基础存储单元进行互连与封装前准备。

此前，三星在华城园区的主制造基地位于一号厂，而后段工序则分散布置于华城二号厂及天安园区。这种物理隔离导致生产流程衔接不畅、周期延长，制约了供货响应速度。此次调整，将原有分散部署的后段设备整体迁移至一号厂，腾退的空间随即用于新增产线建设。

尤为关键的是，此次扩产充分利用了既有设施资源——通过拆除部分老旧产线，释放出闲置洁净室空间，无需新建厂房，大幅压缩了投资规模与建设周期，使产能提升得以迅速实现。

这一布局调整不仅体现为单纯的数量扩充，更是一次系统性效率升级：将大宗DRAM的前段主制造与后段制程集中于同一厂区，显著缩短工序流转路径，提升整体协同水平。此举实质上是将平泽园区自建厂之初即实行的“前后段一体化”先进运营模式，成功复制并落地至华城园区。

据业内人士透露，预计至二零二六年年末，三星大宗DRAM总产能相较年初将提升约百分之十五。主厂与后段产线合并在同一物理空间后，晶圆可成批直送后段工序，物流周转效率同步优化，整体制造韧性进一步增强。