1、 null
2、 所示
3、 9015 为 PNP 型三极管结构
4、 集电极与发射极间电压为负45伏
5、 集电极与基极间耐压为50伏
6、 发射极与基极间电压为负五伏
7、 集电极电流为0.1安培
8、 功率损耗为0.45瓦
9、 结温上限150℃
10、 特征频率平均值为300兆赫
11、 放大倍数分别为:A档60至150倍,B档100至300倍,C档200至600倍,D档400至1000倍。
12、 补充信息:
13、 电子三极管,又称电子管,是早期电子器件中的重要组成部分。
14、 双极结型晶体管(BJT)是一种通过电子和空穴两种载流子导电的半导体器件,具有电流放大作用。
15、 J型场效应管,即结型栅极场效应晶体管,是一种通过电压控制电流的半导体器件,利用PN结作为栅极来调控导电沟道的宽窄。
16、 金属氧化物半导体场效应晶体管,英文全称为Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,简称MOSFET,是一种利用电场控制电流的半导体器件,广泛应用于放大和开关电路中,具有输入阻抗高、功耗低等优点。
17、 V型槽场效应管,全称为垂直金属氧化物半导体场效应管,简称VMOS,是一种具有V形槽结构的功率场效应晶体管。
18、 这三种器件虽然外观类似场效应管,但金属氧化物半导体场效应晶体管和V型槽沟道场效应管实际上属于单极结构,与双极型器件相对应。由于它们的工作机制依赖单一载流子导电,因此可统称为单极晶体管,突显其在结构和原理上的共性,区别于依赖两种载流子工作的双极型晶体管。
19、 J型场效应管属于非绝缘型,而MOS FET与VMOS则为绝缘型场效应管。
20、 9013三极管参数详解,源自百度百科资料。
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