福意论行情：本周继续降价！

DDR现货价格果然还是没有逃脱出大幅跌价的境遇，苦苦支撑的现货市场终究无法抵挡需求疲软带来的冲击，今年新低的价格也让市场叹声四起；利基型SDRAM虽然仍然没有摆脱需求不振的阴影，但现货价格跌势渐渐收窄，SDRAM也吸引了部分业者的关注；上周NAND FLASH现货市场加快了跌价的速度，现货价格纷纷创出历史新低。
DDR现货价格如此幅度的下跌也是酝酿已久，内地备受期望的暑期效应始终没有出现乃症结所在，需求究竟是不旺还是延迟至今也没有定论，漫无目的的等待也已经使得有库存压力的业者坐立不安，以退为进不可谓不是一种无奈而又明智的选择，供过于求的局面没有良好需求的支撑实在无法让对后市有过分乐观。
市场焦点
· 近来NAND型Flash芯片组报价每下愈况，1Gb产品平均报价来看，已下跌至10.5美元，由于海力士（Hynix）、意法半导体（ST）等新进业者价格攻势凶猛，加上这些新进业者也开始采用0.12微米制程量产，年底前还将进一步采90奈米制程量产Flash，其制造成本优势并不输给三星，在后进者穷追猛打情况下，整体NAND型Flash市场供应量快速增加，但需求量却又无法如预期同步扩增，造成整体市场供过于求，价格自然无法守住。
· 两则业内消息值得关注：报导援引Korea Exchange Bank的声明称，合计持有Hynix债务75%以上的债权人已同意Hynix与STMicroelectronics 在中国建设两家晶圆厂，分析人士表示，在中国建厂的决定可能帮助Hynix逃避一些国家对韩国生产的DRAM征收的反倾销税；市场研究公司Gartner周四发表报告指出，亚太地区第2季个人计算机(PC)市场在中国和印度市场的推动下，出货较上年同期成长16.5%至826万台，第2季中国PC出货较上年同期成长 20%，也较第1季增加7.3%。
市场预测
DRAM市场处于关键时期 现货价格有望出现转折
· 全球DRAM大厂在第 2季竞相转换制程到0.11 微米，目前三星、美光、英飞凌等0.11微米以下制程比重均已超过 7成，以及在12寸厂产能持续开出，产出将大幅上扬；PCOEM似乎也在为第四季度市场需求准备库存，只是他们希望以更低廉的成本进行备料，目前其与DRAM厂的谈判仍在进行中；通路方面主流DDR333/DDR400的库存水位并不高；加上主机板与NB出货积极，虽国内夏季需求不如预期，但市场的库存结构说明一旦需求有所成长，一波反弹行情值得期待。
· 每次大幅、快速跌价都会与一波反弹行情密切关联，现时市场除了关注跌势将会持续多久之外，也在密切关注跌深之后是否会出现一波较为强健的反弹，而其中的关键因素是市场倾向的需求延迟是否成立，而延迟的需求又是否能逐渐出现，可以说现时PCOEM、通路商随着价格的下跌已经把库存降低至安全水平，其补货的动作将是价格能否反弹的关键，有迹象表明PCOEM、通路商都有进场试探，只是期望拿到更便宜的货而已。
利基型SDRAM受到市场关注 现货价格趋于平稳
· 年后DRAM厂调拨产能过去利基型SDRAM以及SDRAM设计业者纷纷加大定单最终引发了供需求的不平衡，SDRAM现货价格是一路狂跌，但这种局面也许将出现一定的转变：DRAM厂不会继续守着过剩产能艰难度日，转移部分产能过去其它产品在其考量之中；利基型SDRAM设计业者下单的步伐也有所保留；第四季度尤其是后三个月一向是SDRAM消费的旺季，终端需求也将渐渐活跃起来；相信供需状况将得到一定的改善，利基型SDRAM也将受到市场的重新关注，现货价格趋于平稳。
NAND FLASH市场竞争惨烈 1Gb考验$$10.00关口
· 近期如此快速的跌幅，即使包括Samsung、Tosiba等市场控制者也不能完全预料，现时的市场状况一方面是终端需求不旺的写照，另一方面也是市场竞争加剧的必然结果，随着Hynix、Infineon等后起之秀竟相采用更为先进的生产工艺，产能增长明显，也有效的控制了成本，加上Hynix、Infineon等市场跟进者急于求占市场份额而高举价格战大旗，促使FLASH市场竞争明显趋于白热化，Samsung、Tosiba除了快速跟进，恐也无其它更好的市场策略，其中1G是竞争焦点，跌价速度也甚是惨烈，本周现货价格也已逼近$$10.0关口，本周突破$$10.0机会极大。
价格预测（以下模块价格为主流Hynix品牌）