SK海力士二代3Gb DDR5曝光：7200MT/s速率或将成新标准

10月22日，有技术资料显示，SK海力士的第二代3Gb DDR5内存芯片近日现身，推测其原生JEDEC标准速度有望达到7200 MT/s。相关信息源自十铨科技的Kevin Wu在社交平台Clock"EM UP中分享的一张芯片照片，该芯片标注了“X021”字样，并带有“AKBD”的部件编码。

据分析，“X021”标记被认为代表SK海力士第二代3Gb A-Die颗粒，预计将用于取代目前广泛使用的3Gb M-Die颗粒，成为新一代DDR5内存的基础元件。参照该厂商过往的命名规则，后缀字母如“EB”、“GB”和“HB”分别对应4800 MT/s、5600 MT/s和6400 MT/s的原生JEDEC速率。由此推断，新出现的“KB”编码很可能延续这一序列，对应7200 MT/s的运行速度。

这一速度等级的提升与处理器平台的发展趋势相契合。根据公开的产品路线图，下一代处理器将原生支持7200 MT/s的DDR5内存速率，较前代平台的5600 MT/s及后续一代的6400 MT/s实现进一步升级，表明内存带宽正持续成为系统性能优化的关键环节。

不过也有观察指出，此次曝光的测试样品采用了8层印刷电路板（PCB），可能在高频信号传输中构成限制因素。尽管内存颗粒本身具备支持更高数据速率的潜力，但在超过8000 MT/s的高速场景下，8层PCB可能在信号完整性和电源稳定性方面面临挑战。这意味着，未来内存模组的实际性能表现不仅取决于核心芯片的工艺进步，也高度依赖于电路板设计与制造工艺的整体协同提升。