高通发布骁龙X2 Elite与8 Gen 5芯片，创新三通道内存设计

9月25日，高通在最新举行的骁龙峰会上正式发布了骁龙X2 Elite（Extreme）与8 Elite Gen 5处理器，现场展示了两款芯片的实物照片。从图像可见，X2 Elite Extreme的封装结构由四个主要芯片组成，其中位于下方的是处理器核心，上方则集成了三颗DRAM内存芯片，整体设计与英特尔“Lunar Lake”酷睿Ultra 200V的封装方式相似。

根据官方公布的型号为X2E-96-100的骁龙X2 Elite Extreme规格，该处理器采用了少见的192-bit“三通道”内存架构，这是近年来消费级SoC中首次出现此类设计。每64-bit内存位宽对应一颗独立的DRAM芯片。结合芯片表面标识信息以及参考设计所支持的总内存容量48GB分析，该封装内的DRAM颗粒确认为三星电子生产的128Gb（即单颗16GB）LPDDR5x内存。

无论是骁龙X2 Elite Extreme还是标准版X2 Elite，均支持高达9523 MT/s的内存传输速率。其中，X2 Elite的两个型号X2E-88-100与X2E-80-100采用的是128-bit内存位宽设计。此次发布标志着高通在Windows PC平台进一步强化其高性能与高能效的处理器布局。