联发科成功流片台积电2纳米芯片，性能提升18%

联发科今日在其官方网站发布消息，宣布已成功完成首款基于台积电2纳米制程的旗舰级系统单芯片（SoC）设计流片（Tape out），成为全球首批进入该制程阶段的芯片厂商之一。这款芯片预计将在明年年底开始量产并正式上市。

尽管官方尚未透露具体的芯片型号，但从产品研发节奏来看，这款芯片极有可能就是下一代天玑9系列旗舰产品——天玑9600。

据悉，台积电的2纳米制程技术首次引入了纳米片（Nanosheet）晶体管结构，相较于此前的制程技术，在性能、功耗控制和制造良率方面均有显著提升。与台积电当前的N3E制程相比，新一代2纳米技术的逻辑密度提升了1.2倍，在相同功耗水平下，性能可提升最多达18%，同时在相同频率下，功耗则可降低约36%。

联发科表示，长期以来，公司与台积电在多个关键应用领域，如高端移动平台、计算芯片、车载系统和数据中心等领域，持续展开深入合作，致力于打造高性能、高能效的芯片解决方案。此次2纳米芯片的流片成功，标志着双方在合作关系和技术协同方面迈入了一个新的阶段。