三星计划引入VCT技术开发下一代DRAM内存

据业内人士透露，三星电子已内部规划了一项技术路线图，计划在第七代10纳米级DRAM内存工艺（1d nm）之后引入VCT垂直通道晶体管技术。按照这一计划，相关产品有望在未来2至3年内推出市场。

据了解，在1d nm之后的下一代DRAM工艺开发中，三星电子曾评估了1e nm和VCT DRAM两种方案，最终选择了更具革命性的VCT DRAM技术路径，并将原本负责1e nm研发的团队整合到1d nm项目组，以加速1d nm技术的开发进程。

业内人士分析指出，VCT DRAM技术通过高效利用三维空间能够显著提升存储密度，但其开发难度同样不容小觑。一方面，该技术需要突破传统内存技术的限制；另一方面，它还要求采用当前尚未在主流DRAM中应用的先进封装工艺。

与此同时，三星电子在DRAM领域的最大竞争对手也制定了相应的技术路线。这家企业预计将在完成1d nm工艺后，逐步过渡到0a nm，并最终推出名为VG DRAM的3D DRAM产品。