华硕ROG发布NitroPath DRAM技术 优化内存信号完整性及超频性能

华硕ROG发布NitroPath DRAM技术

1月21日，华硕ROG官方宣布推出名为NitroPath DRAM的新技术。这项技术的目的是重新设计主板上内存插槽根部固定结构，以提高内存信号完整性以及超频性能。

目前，ROG Crosshair X870E Hero和ROG Strix X870E-E Gaming WiFi已经支持了这项新技术。据官方数据显示，新的内存插槽固定力增加了57%，同时超频性能提高了400MT/s。

这项技术对于那些需要经常升级或更换内存的用户来说是个额外的卖点。简单来说，现代DIMM采用了288pin针脚设计，这意味着每个 DIMM 上有288个“金手指”焊盘与DRAM插槽中的288个针脚接触。

华硕采用了各种策略来确保最大限度地减少信号反射和干扰，并确保稳定的性能。其中一项策略是采用不同材质的PCB材料、优化走线布局、精密焊接等手段。

在传统DDR内存插槽中，每个针脚都有一部分“残余”，这些残余能够保护内存模块免受用户插入金属走线尖端而刮伤的风险。然而，这些残余也会导致信号反射和干扰。

华硕表示，在正常的DDR5速度下，这些残余引起的反射是可控的。但是当内存速度提升到8000MT/s以上时，它所产生的影响就会变得明显起来。

为了解决这个问题，华硕使用了一种新的针脚布局方法：他们不再让针脚从DIMM向上延伸，而是将针脚向内折叠，并确保尖锐边缘不会与金手指接触。这样一来，不仅可以缩短约70%的残余长度，而且无需对DIMM结构进行调整，同时兼容现有的内存模块。

华硕内部测试表明，在具有四个DIMM插槽的主板上 NitroPath DRAM 技术的影响最大。而对于只有两个 DIMM 插槽型号而言，其本身就已经拥有足够优秀的性能表现，并没有太多收益可言。