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三星再投资!扩大与竞品技术差距

三星电子正在积极投资建设10纳米级第七代DRAM测试线,以提升良率并扩大与竞争对手的技术差距。该测试线预计将于2025年第一季度全面建成,用于测试新产品的量产潜力,并提高产品质量。

据了解,平泽第二工厂(P2)的10纳米级第七代DRAM测试线被称为“one path”线。虽然平泽10纳米级第七代DRAM工厂的具体规模尚未确定,但通常安装的测试线每月可处理约10000片晶圆。

为了顺利推进10纳米级第五代DRAM的量产,三星还在人才配备方面做出了积极努力。他们将从华城工厂派遣DRAM相关人员到平泽工厂。

媒体解读认为,三星此举是一项积极的投资策略,在经历了HBM市场份额被SK海力士超越以及10纳米级第六代DRAM开发速度落后的双重打击后,三星正在全力以赴,并希望通过提前布局下一代产品,在明年重夺市场主导地位。

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