苹果iPhone将用寿命/性能更低的QLC闪存

根据国外媒体的报道，苹果将会在2026年发布的新iPhone手机上启用更大的存储设计，预计会是2TB。

另外，消息称苹果将会使用QLC NAND闪存，原因可能是控制成本。

其实在这之前就有消息称，苹果可能会改变存储容量（iPhone 16上启用），不再使用三层单元（TLC）NAND 闪存，而是在存储容量达到或超过1TB的机型上使用四层单元（QLC）NAND闪存。

与TLC相比，QLC的优势在于每个存储单元可以存储四位数据，在使用相同数量的单元时比TLC储存更多的数据，或者使用更少的单元储存更多的数据，而这可以降低生产成本。

此外，QLC闪存被认为不如TLC闪存可靠，写入数据的耐久性会降低，因为每个单元写入的次数更多，因为每个单元多包含一个位。