三星/海力士推出3D DRAM 技术取得重大突破 良品率高达56.1%

海力士在VLSI 2024峰会上发布了最新的3D DRAM技术研究成果。该公司在这一领域取得了显著进展，并首次公布了其开发的具体成果和特性。目前，其5层堆叠的3D DRAM良品率已高达56.1%，这意味着能够成功制造出约1000个3D DRAM单元，其中超过一半为良品。

实验表明，海力士的3D DRAM在性能上已经展现出与现有2D DRAM相媲美的特点。然而，该公司也承认，在实现商业化之前，还需要进行大量的技术验证和优化工作。与稳定运行的2D DRAM不同，3D DRAM在性能上存在一定程度的不稳定性。

为了达到广泛应用的目标，海力士认为需要进一步提升3D DRAM的堆叠层数，实现32层至192层堆叠存储单元。他们计划通过增加堆叠层数来提高存储密度和性能，并希望在不久的将来实现这一目标。

目前，三星、SK海力士和美光等少数几家主要参与者占据了全球DRAM市场的主导地位，共同占据了96%以上的市场份额。虽然这些公司仍然保持着领先地位，但海力士等其他厂商也在积极开发新技术，以寻求突破。