近日,SK海力士在VLSI 2024峰会上发布了有关3D DRAM技术的最新研究成果。该公司报告称,其五层堆叠的3D DRAM内存良率已达56.1%。尽管实验中显示出与当前2D DRAM类似特性,但海力士也指出,与稳定运行的2D DRAM不同,3D DRAM表现出不稳定性能特征,并需要进行32到192层存储单元的堆叠才能实现普遍应用。
值得一提的是,三星正在开发16层堆叠的3D DRAM,并计划在2030年左右将其产品商业化应用。另外,在今年3月的MemCon 2024展会上,三星宣布了这一消息。
目前来看,在存储领域正面临着越来越严峻的挑战,因此各大厂商都在积极研发新技术以应对这些挑战。不过,在推广普及方面仍面临一些技术难题和市场不确定性等问题。无论如何,在未来的发展中,我们有理由相信存储技术将会迎来更多的创新和突破。
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