美光将斥资700多亿加强美国半导体制造竞争力

美国商务部近日与美光公司签署了一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），根据《芯片法案》提供约61.4亿美元的直接拨款，以及75亿美元的贷款，以加强美国在尖端存储半导体生产方面的竞争力。这笔投资将推动美光公司的计划，即在未来20年内将约40%的DRAM芯片生产转移到本土。

美光公司总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，这是美国半导体制造历史上的重要时刻。他说：“美光领先的内存是满足日益增长的人工智能需求的基础，这将为高科技领域创造许多就业机会。” 美光公司拟议的投资将分布在美国纽约州和爱达荷州，并在美国创建一个强大的领先DRAM芯片生态系统。

在纽约州，美光公司将建设四座晶圆厂中的前两座，属于DRAM工厂，并将成为该公司未来20年内投资约1000亿美元长期投资计划的第一步。这四个晶圆厂总面积约为240万平方英尺，相当于近40个足球场。此外，该公司还将投资250亿美元，在爱达荷州博伊西建造一座大型晶圆厂，洁净室约600,000平方英尺，专注于生产领先的DRAM芯片。

美光公司承诺在未来六年内斥资500亿美元建造前三座晶圆厂。预计该项目将在纽约州创造9000多个制造和设施工作岗位，以及4500个建筑工作岗位。同时，在爱达荷州也将创造2000多个制造和设施工作岗位以及4500个建筑工作岗位。

这次合作对于加强美国半导体制造竞争力具有重要意义，并将为该行业带来更多发展机遇。