三星下一代DRAM或采用模压填充技术

三星正考虑在其下一代DRAM中应用模压填充（MUF）技术。最近，该公司测试了一种用于3D堆栈(3DS)内存的MR MUF工艺，该工艺与传统芯片制造过程中的热压非导电膜(TC NCF)相比具有更好的吞吐量，但也出现了一定的物理特性恶化。

根据测试结果，MUF技术不适合高带宽内存(HBM)，但非常适合3D堆叠双列直插式内存模块(RDIMM)，该模块目前采用硅通孔(TSV)技术制造，并主要用于服务器领域。MUF技术是将数千个小孔注入到半导体之间的材料中，以牢固连接并固定垂直堆叠的多个半导体。

之前，三星在现有的注册双列直插式内存模块(RDIMM)中使用了热压非导电膜(TC NCF)技术。此次试验后，三星开始关注MUF技术，并计划与其子公司三星SDI合作开发适用于DRAM的MUF化合物。虽然业界认为这种材料在避免晶圆翘曲方面更具优势，但目前尚不清楚三星是否会选择引入MUF技术。

值得一提的是，如果三星决定采用MUF技术，则可能会成为主流趋势，对半导体材料市场产生巨大影响。然而，对于这一传闻，三星电子方面表示“无法确认内部技术战略”。