一、 前言
INTEL公司在2000年年底正式推出了采用NetBurst架构的Pentium 4处理器,同期发布了配套的支援双通道PC800 RDRAM的850芯片组,为充实Pentium 4芯片组产品线,英特尔在去年陆续推出了支援SDR/DDR规范内存的BROOKDALE系列845/845D芯片组。但随着INTEL P4 533MHz外频的P4推出之日起,VIA、SIS 等主要芯片组厂商之间的竞争就非常火热。 SIS推出了支持533MHz外频P4的SIS645DX芯片组,VIA的新芯片组p4x333也是含苞欲放,尽管Intel 有新的CHIPSET 845E/845G来凭借DDR 的搭配,却很难全面体现出自己的优势。
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从I850E 主芯片的推出来看,显然Intel还并未决定完全放弃RDRAM,他们希望通过先推533MH外频版P4搭配RDRAM的高效能组合吸引到更多追求效能的用户,因为850E+RDRAM明显要比845E(845G)+DDR266要快很多,而且Intel自己也曾表示RDRAM才是533MHz外频版P4处理器的理想搭配。
一些消息源透漏,更高的时钟,更快的总线,更新的RDRAM将转化为总体性能提高在10%-15%左右。而随着RAMBUS不断降低生产成本和改变市场策略, RAMBUS 内存价格和DDR 相同容量的差价不到20%,这必将给广大喜欢高速快感的用户的欢迎。那么I850E +RAMBUS 究竟有哪些吸引人的地方呢?
二、 I850E 的来龙去脉
I850E 是I850 的升级产品,从INTEL 的桌面PC CHIPSET 的计划图可以看出,它将至少延续到2003 年的第二季度,是产品价格定位略高于845/845G/E 芯片组的PC 构成方案。I850E 采用INTEL 的Hub Architecture。北桥82850E MCH 支持FSB 533MHz P4 SOCKET 478 CPU, 内存规格支持双通道RAMBUS ,带宽至少达到3.2G 以上,显卡支持AGP 4X 规格。南桥82801 BA ICH2 同850 规格相同,支持4 个USB 1.1 端口,集成6 声道软声卡,提供标准10/100M 网络传输接口,硬盘数据传输符合ATA100 标准规格。
下面是i850E 和其它类似芯片组的比较:
芯片组 |
Intel 850E |
Intel 850 |
Intel 845E |
Intel 845G |
处理器平台 |
Socket 478 |
Socket 423/478 |
Socket 478 |
Socket 478 |
多处理器支持 |
是 |
是 |
否 |
否 |
北桥芯片 |
Intel KC82850E |
Intel KC82850 |
Intel 82845E |
Intel 82845G |
南桥芯片 |
ICH2 |
ICH2 |
ICH4 |
ICH4 |
前端总线频率 |
100/133 MHz |
100/133 MHz |
66/100/133 MHz |
66/100/133 MHz |
内存频率 |
400MHz/533 MHz |
400 MHz |
100/133MHz DDR-SDRAM |
100/133MHz DDR-SDRAM |
异步内存频率 |
是 |
是 |
是 |
是 |
前端总线超频 |
可达166 MHz |
可达133 MHz |
可达166 MHz |
可达166 MHz |
最大DIMM插槽数 |
4 |
4 |
3 |
4 |
最大内存 |
2GMB PC800/1066 32bit RAMBUS |
2GMB PC800 RAMBUS |
2G DDR 200/266 |
2G DDR 200/266 |
Ultra-DMA |
/33/66/100 |
/33/66/100 |
/33/66/100 |
/33/66/100 |
最大USB及规格 |
4 USB 1.1 |
4 USB 1.1 |
6 USB 2.0 |
6 USB 2.0 |
内建图形芯片 |
否 |
否 |
否 |
Extremete 3D |
AGP 槽 |
AGP4X |
AGP4X |
AGP4X |
AGP4X |
以I850E为主芯片的主板,其最大的特点就是能够达到和RAMBUS 在速度、容量上的完美组合,借助RAMBUS pc1066快速、高带宽(4.2GB)的威力,能充分发挥P4 FSB533 CPU 的潜力。在内存方面,稍微要注意的是这种主板必须同时成双搭配RAMBUS,且最好是32BIT 的RAMBUS。
三、 了解RAMBUS
1、Rambus 规格
目前市面上的Rambus和DDR内存,都有基本的传输率限制(RDRAM每pin达每秒800 Mb,DDR每pin达每秒333 Mb)。对DDR来说还有架构上的限制,Rambus内存采用阻抗受控制(controlled impedance)的串行(serial)连接,而DDR算是SDRAM的延伸,它使用并行总线架构,内存模块则是总线上非终端的开放端点(在高速时会造成讯号整合问题,像是讯号反射等)。
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