苹果拟用英特尔18A-P代工入门M芯片，iPhone芯片合作存散热隐忧

近日，有关苹果与英特尔合作的消息持续引发业内关注。据多方信息显示，苹果正考虑委托英特尔代工部分M系列处理器及非Pro版iPhone芯片。按照规划，预计2027年量产的入门级M系列芯片，以及2028年发布的标准版iPhone芯片，或将采用英特尔18A-P制程工艺。

目前，苹果已与英特尔签署保密协议，并获得其18A-P工艺的工艺设计套件样本，用于技术评估与适配验证。公开资料显示，18A-P是英特尔首个支持Foveros Direct三维混合键合技术的制程节点，该技术依托硅通孔实现多颗芯粒的垂直堆叠，有助于提升集成密度与互连带宽。

然而，业内多位资深人士对英特尔承接iPhone芯片代工业务持审慎甚至否定态度，核心分歧聚焦于背面供电技术（BSPD）。该技术通过芯片背面布设更短、更粗的金属供电路径，降低电压降，从而支撑更高且更稳定的工作频率。台积电在部分先进节点中选择性应用BSPD，以兼顾性能、功耗与散热的综合平衡；而英特尔则在其最前沿的18A与14A制程中全面采用BSPD架构。

问题在于，BSPD对移动终端芯片的实际性能提升极为有限。相反，其带来的热管理挑战尤为突出：由于供电路径转向背面，热量更易在芯片内部积聚，垂直方向散热效率低下，横向导热亦受结构限制。在依赖被动散热、空间紧凑且温控严格的智能手机中，此类发热特性难以满足长期稳定运行要求，甚至可能触发降频或系统保护机制。

因此，多数行业观点认为，短期内英特尔几乎不具备获得iPhone芯片代工订单的现实条件。相较之下，M系列处理器因设备形态提供更充裕的散热空间与更强的主动散热能力，相关合作仍具备一定可行性。