三星HBM4获客户认可，内存涨价助推业绩创新高

三星电子联席首席执行官近日表示，当前内存芯片短缺状况达到历史罕见程度，形势极为严峻，由此带来的内存价格大幅上涨将不可避免地传导至终端产品，影响智能手机等设备的定价。市场研究数据显示，过去一年间，传统DDR4 DRAM的基准价格较此前水平上涨近七倍，创下自2016年有记录以来的最高涨幅；同期NAND闪存价格也实现翻倍以上增长。

受惠于内存芯片价格的强劲上行以及面向人工智能应用的高带宽内存需求回升，三星电子有望交出公司历史上最出色的季度财报之一。公司计划于本周发布初步的第四季度业绩，市场普遍预测其营业利润将接近19万亿韩元（约合140亿美元），约为上一季度的三倍。部分分析人士甚至预计该数字有望首次突破20万亿韩元，主要推动力来自半导体业务板块的显著改善。

此次内存价格飙升源于全球供应持续紧张，作为全球最大的内存芯片制造商，三星在本轮周期中成为核心受益者。更值得注意的是，公司在高端HBM领域的竞争力不断增强，进一步提振市场信心。HBM作为驱动人工智能加速器的关键组件，正迎来快速增长期。据业内消息，三星最新推出的第六代HBM4产品在面向主要客户的测试中表现突出，获得包括英伟达和博通在内的客户给予的最高性能评价。该产品预计将在今年晚些时候应用于新一代人工智能平台。

市场份额方面，三星在全球HBM市场的占有率持续攀升，从去年第一季度的13%上升至第三季度超过20%。分析普遍认为，这一比例在2026年有望突破30%，逐步缩小与目前市场领先者之间的差距。

三星电子联席首席执行官兼芯片业务负责人全永铉在新年讲话中指出，HBM4凭借差异化技术优势已获得客户高度认可，并强调“三星回来了”，展现出公司在高端存储领域重拾领先地位的决心。

资本市场亦对此作出积极反应。进入2026年后，三星电子股价在前两个交易日连续大幅上涨，涨幅分别达到7.17%和7.47%，推动韩国主要股指盘中创下历史新高，反映出投资者对公司前景的强烈看好。