一、IC烧录的物理本质：如何用电子“雕刻”芯片记忆1.1 存储单元的基础结构
浮栅晶体管（Floating Gate Transistor）：
以Flash存储器为例，编程时向控制栅（CG）施加高压（12~20V），通过F-N隧穿效应将电子注入浮栅（数据：
电子保持寿命>10年）。
擦除时施加反向电压，电子返回衬底（擦写次数决定寿命，SLC NAND可承受10万次，QLC仅1000次）。
熔丝（Fuse）与反熔丝（Anti-Fuse）：
OTP（一次性编程）存储器通过熔断金属连线（电流>50mA）或击穿介质层（电压>6V）实现永久编程（误差率
50mV可能引发位翻转（需增加π型滤波电路）。
地址映射错位：大端序与小端序配置错误（案例：某车规MCU因字节序反导致刹车信号异常）。
固件版本混淆：建立Golden Sample数据库，每次烧录前哈希校验（SHA-256）。
eFuse技术：通过软件指令改写存储器配置（如高通骁龙芯片动态调整CPU频率），淘汰物理熔丝。
光子烧录：利用飞秒激光直接修改芯片金属层（精度达0.1μm），突破传统电气限制。
