SK 海力士突破 HBM 堆叠层数限制，MR-MUF 和混合键合封装两手抓

SK海力士正在开发16层的HBM4内存，这种内存将提供最大容量为48GB，数据处理速度超过每秒1.65TB。该公司和台积电正在合作开发HBM4，计划于2025年量产。为了提高性能和能效，海力士将在HBM4的基础芯片上应用逻辑工艺。

海力士的先进MR-MUF技术具有30%以上的性能优势，该技术可以实现低粘合压力和温度应用以及批量热处理。目前，该公司正在利用MR-MUF技术批量生产8层和12层的产品，并且这些产品都使用了同样的技术。此外，海力士还在为之后的第七代HBM4E做准备。

SK海力士封装研发副社长李康旭在“2024年异构集成全球峰会”上发表演讲时强调了异构集成技术（封装不同工艺的半导体芯片）重要性日益凸显，并表示通过合理利用该技术，海力士将进一步提高第6代HBM4产品（计划明年产量）的性能。