台积电3nm产能被苹果等包圆 苏姿丰暗示：AMD将采用三星3nm制程

近日，AMD首席执行官苏珊·阿斯派恩在比利时IMEC ITF世界2024大会上透露，该公司计划采用3纳米环绕栅极（GAA）技术来生产其下一代芯片。她表示，这种技术可以使晶体管的效率和性能得到提升，并且封装和互连技术也有所改进，从而使AMD的产品更具成本效益、功耗效率更高。

目前，三星是唯一一家商业化生产GAA 3纳米芯片的公司，在2023年成为全球第一家将3纳米制程节点应用于GAA晶体管架构的厂商。这被解读为AMD可能会与三星合作开发使用3纳米GAA技术的芯片，这一合作关系可能会帮助AMD在成本效益和能效方面取得优势。与此同时，台积电的3纳米芯片产能已被苹果、高通等大客户全部预订。台积电计划从2纳米节点开始使用GAA技术制造其芯片，并预计于2027年达到1.6纳米工艺节点，并在2027-2028年左右开始量产1.4纳米工艺。

业界人士指出，如果AMD与三星合作在3纳米节点上，这将有助于三星缩小其在代工市场与台积电之间的差距。长期以来，三星和AMD一直在图形处理单元（GPU）和高带宽内存（HBM）芯片方面进行合作，HBM近期成为人工智能设备的热门DRAM。

去年，三星和AMD签署了一份多年期合作扩展协议，将AMD的多代高性能、超低功耗的Radeon图像锐化功能引入三星Exynos应用处理器产品组合中。作为更广泛合作的一部分，三星还同意向AMD提供HBM芯片和一站式封装服务。