不用光刻机EUV!5纳米芯片制造方法专利公布

近日，上海创消新技术发展有限公司申请的“5纳米芯片制造的直接蚀刻方法”专利公布。该发明涉及芯片设计及制造，方案是：按5纳米蚀刻线宽设计芯片版图，设计蚀刻掩模版后，用激光直写光刻机刻出蚀刻掩模版；晶圆准备好后将蚀刻掩模版紧靠晶圆上表面，用等离子体进行干法蚀刻，蚀刻结束后移去蚀刻掩模版，清洁晶圆，进行后续常规的芯片制造步骤。这项发明的亮点在于，不用EUV光刻机或DUV光刻机，不需要光刻过程，直接蚀刻就可以制造5纳米芯片。 上海创消新技术发展有限公司成立于2019年3月，法定代表人为刘明革，注册资本50万人民币，经营范围包括电子技术、化工技术、建筑技术、生物技术领域内的技术开发等，由刘明革和刘佳慧共同持股。未来几年，我们期待上海创消新技术发展有限公司能够在芯片制造领域取得更多的突破性成果，并将这项新技术推向商业化阶段。对于整个半导体行业来说，这种创新技术的出现无疑带来了新的希望和动力，推动行业不断向前发展，迈向更先进的制造工艺和更广阔的应用领域。尽管目前这项技术还处于实验室阶段，但是其潜在的影响力不容忽视。