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铠侠开发NIL半导体工艺:不需要EUV光刻机

芯研所10月23日消息,日本铠侠公司联合伙伴开发了新的工艺,可以不使用EUV光刻机,工艺直达5nm。据日媒报导,铠侠从2017年开始与半导体设备厂佳能,以及光罩、模板等半导体零组件制造商DNP合作,在日本三重县四日市的铠侠工厂内研发纳米压印微影技术(NIL)的量产技术,铠侠已掌握15nm量产技术,目前正在进行15nm以下技术研发,预计2025年达成。

芯研所采编

与目前已实用化的极紫外光(EUV)半导体制程细微化技术相比,NIL更加减少耗能且大幅降低设备成本。因NIL的微影制程较单纯,耗电量可压低至EUV生产方式的10%,并让设备投资降低至40%。而EUV设备由ASML独家生产供应,不但价格高,且需要许多检测设备配合。

目前NIL在量产上仍有不少问题有待解决,包括更容易因细微尘埃而形成瑕疵等问题。如果铠侠能成功率先引进NIL量产技术,可望弥补在设备投资竞赛中的不利局面,又能符合减少碳排放的需求。对铠侠来说,NAND组件采取3D堆叠立体结构,更容易因应NIL技术的微影制程。铠侠表示,已解决NIL的基本技术问题,正在完善量产技术,希望能率先引入NAND生产。根据DNP说法,NIL技术电路精细程度可达5nm,DNP从2021年春起,根据设备的规格值进行内部仿真。DNP透露,从半导体制造商询问增加,显示不少厂商对NIL技术寄予厚望。

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