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中芯国际FinFET工艺已量产 产能1.5万片

中芯国际联席CEO赵海军透露了公司的先进工艺的情况,表示FinFET工艺已经达产,每月1.5万片,客户不断进来。

芯研所8月7日消息,在最近的财报电话会上,中芯国际联席CEO赵海军透露了公司的先进工艺的情况,表示“我们的FinFET工艺已经达产,每月1.5万片,客户多样化,不同的产品平台都导入了。(这部分)产能处于紧俏状态,客户不断进来。”根据之前的报道,中芯国际的FinFET工艺有多种类型,其中第一代FinFET工艺是14nm及改进型的12nm,目前1.5万片产能的主要就是14/12nm工艺,第二代则是n+1、n+2工艺,已经试产,但产能不会有多大。

芯研所采编

根据中芯国际联席CEO梁孟松博此前公布的信息显示,N+1工艺和现有的14nm工艺相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,逻辑面积缩小了63%,SoC面积减少了55%。从逻辑面积缩小的数据来看,与7nm工艺相近。梁孟松博士也表示,N+1代工艺在功耗及稳定性上跟7nm工艺非常相似,但性能要低一些(业界标准是提升35%),所以中芯国际的N+1工艺主要面向低功耗应用的。而在N+1之后,中芯国际还会有N+2,这两种工艺在功耗上表现差不多,区别在于性能及成本,N+2显然是面向高性能的,成本也会增加。

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