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启用EUV光刻机 10nm工艺DRAM产品开始量产

芯研所:SK海力士启用EUV光刻机 10nm工艺DRAM产品开始量产,内存竞争悄然打响。

SK海力士官方给出消息称,开始启用EUV光刻机闪存内存芯片。

按照官方的说法,公司的第四代10nm(1a)级工艺的 8Gigabit(Gb) LPDDR4 移动端 DRAM(动态随机存储器)产品已经在今年7月初开始量产。

SK海力士预计从下半年开始向智能手机厂商供应采用1a纳米级技术的移动端 DRAM。

在这之前,三星和美光也都表示,将启用EUV光刻机闪存内存芯片之后,不过美光时间上要更晚一些,其要在2024年生产新的EUV内存芯片。

去年SK海力士宣布斥资90亿美元(约合600亿元)收购Intel闪存部门,合并之后有望成为仅次于三星的第二大闪存巨头,六大原厂将减少为五家。

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