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IBM首发2nm工艺芯片 最快2024年量产

近日,IBM首发了2nm工艺芯片,它使用了GAA环绕栅极晶体管技术,密度可达3.33亿晶体管/mm2,几乎是台积电5nm的两倍,也比外界预估台积电3nm工艺的2.9晶体管/mm2要高。性能方面,IBM表示他们的2nm工艺在同样的电力消耗下,其性能比当前7nm高出45%,输出同样性能则减少75%的功耗。

IBM的2nm工艺的纳米片为3层堆栈,高度75nm,宽度40nm,栅极长12nm,纳米片高度5nm——里面没有一个参数是2nm的,因为2nm的命名还是沿用了传统2D晶体管的标准。

在台积电的2nm工艺还在研发阶段没有公布技术细节的情况下,IBM这次在美国的实验室率先推出了2nm技术是很有象征意义的,美国现在也在努力夺回半导体工艺领先地位,IBM的2nm工艺给了信心。根据IBM的说法,2nm工艺预计在2024年量产,这个时间点正好卡在台积电2nm工艺量产的范围内。

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