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TLC颗粒被以4D的方式盖到176层,使读写速度大大提升

继美光之后,SK海力士完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发,容量512Gb(64GB),TLC。

SK海力士表示,闪存单元采用ctf(电荷捕获)结构,并集成了puc技术。

4d闪存是SK海力士说的,这次的176层被称为第三代,每个晶片可以切割更多的闪存硅存储器。

不仅容量提升了35%,闪存设备的读取速度也提升了20%,通过加速技术,传输速度达到了33~1.6 gbps。

SK海力士预计相关产品将在明年年中发布,目前主控厂商已经在测试样品,预计会在手机闪存领域首发,目标是70%的的读速提升和35%的写速提升,后面还会应用到消费级SSD和企业产品上。

同时,SK海力士表示正在开发1Tb(128GB)容量的176层4D闪存。

显然,未来手机可以在更紧凑的空间内打造大容量ROM空间。

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