> 游戏硬件

新品日历

更多频道

美光推出 176 层 3D NAND

11月10日,世界顶级半导体峰会之一的闪存峰会将于2020年11月10日在美国加州圣克拉拉会议中心举行。11月9日晚,北澳宣布了最新的第五代3D NAND闪存技术,该技术拥有176层存储单元。

新的176层闪存是美光和英特尔分拆后开发的第二代产品,而上一代3D NAND是美光的过渡节点128层设计。目前,在三星存储技术的巨大领先下,美光128层3D NAND并不特别高。此外,虽然升级到176层,但它仍然落后于三星。

美光并没有发布太多关于这项技术的信息。

第176层NAND支持的接口速度为1600 mT/s,高于96层和128层闪存的1200 mt/s。与96 INND相比,读(写)延迟提高了35%以上,比128 IND提高了25%以上。与使用96INand的ufs3.1模块相比,美光芯片的整体混合工作负载提高了约15%。

据了解,美光表示其第176层3D NAND已开始大规模生产,并已在奈达的一些消费级SSD产品中发货。

免责声明:凡标注转载/编译字样内容并非本站原创,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。

打开ZOL新闻,阅读体验更佳

产品推荐

热门评论

更多评论

相关阅读

点击加载更多
全站导航
0

发评论,赚金豆

0 纠错