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苹果A14芯片疑似缩水 台积电5nm工艺或存虚标

作为业界首款量产的5nm芯片,苹果A14以及iPhone 12的到来再次刷新手机性能新高度。不过近日ICmasters却通过研究发现,苹果A14芯片的晶体管密度跟此前台积电宣称值相去甚远,存在一定缩水的问题,矛头指向台积电5nm工艺或存在虚标。

苹果A14芯片疑似缩水 台积电5nm工艺或存虚标

半导体逆向工程与IP服务机构ICmasters近日将一颗苹果A14放在了显微镜下,并结合官方数据对比来进行比对分析,苹果A14采用台积电5nm工艺制造,集成多达118亿个晶体管,内核面积仅为88平方毫米,密度为1.34亿个晶体管/平方毫米。

苹果A14芯片疑似缩水 台积电5nm工艺或存虚标

根据台积电的宣传,5nm工艺可以做到1.713亿个晶体管/平方毫米的密度,苹果A14距离理论值差了不少,只发挥出来不到80%。不同芯片有着不同的逻辑电路、缓存布局和设计,但是就实际值与理论值的对比看,这次确实低了很多,前几代可是全部超过90%。

当然,所谓缩水或者虚标都是网友的调侃,但不得不说未来5nm工艺仍旧存在提升的空间。基本上每个等级的制程工艺都会至少存在两次大的换代,估计到了iPhone 13时候搭载的A15芯片,届时的5nm工艺将会运用的更加炉火纯青,也是5nm真正走向成熟的阶段。

这似乎又绕回到那个老问题上来了,嗯,还是13香!

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