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鳍式场效应晶体管技术 台积电3nm将用于A16芯片

中关村在线消息:此前据外媒报道,台积电3nm芯片的性能相比5nm制程将提高10%至15%,能源效率提高20%至25%。根据时间节点推算,苹果的A16处理器将应用3nm工艺制造,用于苹果新iPhone上,3nm工艺的A16芯片将于2022年发货。

台积电早在去年4月就表示,3nm工艺仍会应用FinFET(鳍式场效应晶体管)技术,之前还有消息显示,台积电在2nm先进制程研究方面有了重大突破,已成功找到路径,将切入环绕式栅极技术 (gate-all-around,简称GAA)技术。

一般情况下,芯片内的晶体管数越多,功率和能效就越高。每隔一年,晶体管密度将增加近一倍,这也是处理器性能提升的关键所在。

举个例子,今年苹果A14芯片集成有118亿个晶体管,此前A13仿生芯片有85亿个晶体管,而A12仿生芯片则有69亿个晶体管。A14采用台积电的5nm工艺,晶体管能以惊人的密度封装在一起,能量在其间传递得更快,传递过程中的损耗也更少。这种设计使 A14 仿生在性能提速的同时,还更省电。

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