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台积电公布3nm细节 每平方毫米集成2.5亿个晶体管

此前,台积电表示将在5nm、3nm制程节点上逐步实现投产,毕竟其在7nm上的领先有目共睹,这也使得台积电在制程推进上更加激进。

近日,台积电终于披露了3nm工艺的细节。首先,在3nm节点上,晶体管密度将达到买平方毫米2.5亿个。这是什么概念呢?目前7nm EUV工艺的麒麟990 5G芯片尺寸为113.31平方毫米,晶体管密度为103亿,其每平方毫米晶体管密度为0.9亿,这也意味着3nm制程工艺的晶体管密度将是7nm的3.6倍。

性能方面,台积电5nm相对于7nm提升15%,能耗比提升30%;而3nm较5nm性能提升7%,能耗比提升15%。

此外,台积电表示3nm工艺研发符合预期,且并未受到疫情影响,预计在2021年进入风险试产阶段,2022年下半年量产。不过,3nm首发依然会是FinFET技术,因为台积电在评估多种技术之后认为FinFET工艺在成本及能效上表现更佳。

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