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三星西安工厂二期二阶段已开工!NAND产能翻倍

近日根据报道,三星电子继上月中旬宣布西安二期一阶段工厂投产后,日前二期二阶段也全面开工建设,并将于2021年下半年竣工,预计将用于投产128层或更高堆叠层数的3D NAND芯片。

三星在2012年落户西安,2013年投资108亿美元,兴建一期项目,并于2014年建成投产,满载月产能13万片。二期项目分为两个阶段,总投资150亿美元,其中第一阶段投资约70亿美元,二阶段项目投资80亿美元。

三星西安二期一阶段于2018年兴建,今年3月产品正式下线上市,主要生产的是第五代96层3D V-NAND芯片,不仅满足中国市场需求,还通过韩国总部远销欧美、东南亚等地,用于满足不断增长的存储需求。三星宣布开工建设的是西安二期第二阶段工厂,2021年下半年竣工,项目建成后将新增产能13万片/月,新增产值300亿元。

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