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功耗降低50%!三星2022年交付3nm产品

半导体行业的竞争往往很激烈,即使受疫情影响,各大半导体代工厂的产能都有所减缓,但是原有步骤并未放缓。近日,有媒体报道,三星将在2022年推出3nm制程工艺产品,并对晶体管技术进行重大改造,该新技术可以更好的控制晶体管通道,防止电荷泄露问题。

值得注意的是,MCBFET是GAAFET的一部分,就MCBFET性能而言,三星表示该技术将减少50%的功耗,同时提供30%的性能。密度预测也将大大提高,三星公司预测,每一个晶体管占用的硅空间将减少约45%。

与普通的FinFET相比,该技术允许将晶体管堆叠在彼此的顶部,从而使其固有地使用更少的空间。MCBFET GAA晶体管可灵活调节其晶体管宽度,这意味着整个堆叠晶体管的宽度可达到设计人员所需的宽度。

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