据外媒报道,GlobalFoundries(格芯)今天宣布已经完成了22FDX(22 nm FD-SOI)技术开发,而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器(eMRAM)。
eMRAM这种综合了RAM内存、NAND闪存的新型非易失性存储介质断电后不会丢失数据,写入速度则数千倍于闪存,可以兼做内存和硬盘,甚至统一两者,并且它对制造工艺的要求非常低,所以价格也不会过分昂贵。
GlobalFoundries表示,使用其22FDX和eMRAM工艺技术生产的测试芯片,在ECC关闭模式下,在-40°C到125°C的工作温度下,具有10万个周期的耐久性和10年的数据保持能力。
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