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中芯国际7nm年内问世:性能提升20%

半导体行业的竞争一直是非常激烈的,根据信息显示,台积电、三星今年要量产5nm工艺,这是第一梯队的水准。与之相比较的大陆市场方面的工艺相对比较落后,中芯国际去年底量产了14nm工艺,14nm及改进型的12nm工艺是中芯国际第一代FinFET工艺,他们还在研发更先进的N+1括N+2 FinFET工艺,分别相当于7nm工艺的低功耗、高性能版本。

根据中芯国际联席CEO梁孟松博士所示,N+1工艺和14nm相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,逻辑面积缩小了63%,SoC面积减少了55%。N+1之后还会有N+2,这两种工艺在功耗上表现差不多,区别在于 性能及成本,N+2显然是面向高性能的,成本也会增加。

并且表示,今年Q4季度小规模生产7nm。

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