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三星西安二阶段项目开工:投产100+层3D NAND

三星在半导体存储领域的优势一直是无可替代,今日,根据最新消息显示,三星西安(中国)12英寸闪存芯片二期第二阶段项目正式开工,将投资80亿美元用于新建工厂,预计于2021年下半年竣工,将用于投产其先进的100+层3D NAND。

中国是全球重要的存储应用市场,根据数据统计,中国市场每年至少要消耗三成以上的NAND Flash,需求量极大。根据中国信通院数据,2019年11月中国5G手机出货量突破500万部大关,5G手机新品所搭载的容量也不断增大,NAND Flash几乎从128GB起跳,再加上数据中心、服务器等需求的拉动,也将会对NAND Flash的需求起到极大的提升作用。

受此因素影响,目前市场供需关系已经开始改变。所以为了平衡这种关系,三星目前正积极提高96层3D NAND生产比重,并且推出了第六代V-NAND,它可以实现128层的TLC NAND堆栈,基于此,目前已经成功量产了SATA SSD,根据我们目前的能耗设计,它具备了性能更高、容量更大、能耗更低的特性。预计到明年将会实现更大容量的堆栈闪存产品落地,并且不断朝着更多层的堆栈进行研究,以此来满足消费者不断增长的存储需求。

文章提到的产品

三星860 QVO SATA III(1TB)

三星860 QVO SATA III(1TB)

[经销商] 京东商城

[产品售价] 769元

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