三星发布100+层 V-NAND：现已量产SSD

今日，据外媒报道存储巨头三星宣布推出了首个100+层且单栈（Single-stack）设计的新的V-NAND，突破了目前3D NAND堆叠的限制，实现了卓越的速度和能效。

据资料显示，三星第六代V-NAND是继其推出90层以上V-NAND后仅13个月所推出的新一代V-NAND，同时三星还将批量生产周期缩短了4个月，以确保其在业界领先的性能、能效和生产效率。

据悉三星目前已开始批量生产250GB SATA SSD，采用的是第六代（1xx层）256Gb TLC V-NAND。三星还计划在2019下半年推出基于512Gb TLC V-NAND的SSD和eUFS，用于满足全球移动和PC制造商的需求。

三星是利用独特的“通道孔蚀刻”技术，新的V-NAND在之前的9x层堆叠结构上增加了大约40%。这是通过建立一个由136层组成的导电模具堆，然后从上到下垂直穿透圆柱形孔，创建统一的三维电荷阱闪光（CTF）单元来实现的。

随着每个单元区域的模具堆叠高度的增加，NAND Flash芯片往往更容易出错和读取延迟。为了克服这些限制，三星公司采用了一种优化的电路设计，使其能够实现最快的数据传输速度，写入操作的速度低于450微秒（μs），读取速度低于45微秒。与上一代相比，这意味着性能提高了10%以上，而功耗降低了15%以上。

三星256Gb容量的NAND Flash所需的通道孔数量已从上一代的9.3亿个孔减少到6.7亿个孔，从而减小芯片尺寸和减少工艺步骤，这使得生产效率提高了20%以上。