近日,据外媒anandtech报道,台积电(TSMC)目前已推出了7nm深紫外DUV(N7)和5nm极紫外EUV(N5)制造工艺的性能增强版本。该技术专为需要7nm设计运行更快或消耗电量更少的客户设计。
台积电
这两种新技术被称为N7P和N5P,与此前的N7和N5采用了相同的设计规则,但优化了前端(FEOL)和中端(MOL),因此可在相同功率下将性能提升7%,或者在相同的频率下降低10%的功耗。N7P采用经过验证的深紫外(DUV)光刻技术,与N7相比,没有改变晶体管密度。而N5P技术采用FEOL和MOL优化功能,在相同功率下可使芯片的运行速度提高7%,或者是在相同频率下将功耗降低15%。
这两项技术最早曾在今年在日本举办的VLSI研讨会上透露了相关信息,但台积电并未进行广泛的宣传。
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