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英特尔10nm制程工艺指标远超台积电7nm

英特尔10nm制程工艺姗姗来迟,受到外界不少的质疑。即便在今年台北电脑展上英特尔已经发布了10nm处理器,但是首批搭载10nm处理器的电脑究竟何时上市还是没有确切的时间。此前媒体大多分析将于今年第三季度发布,如果真是这样的话,那么可能最早在7月份才能见到英特尔10nm产品。

此外,在英特尔发布10nm处理器之后,官方参数显示10nm处理器的主频和睿频基准都有所降低,尤其是默认主频降幅较大。但是在技术层面,英特尔表示10nm处理器的IPC提升18%,熟悉处理器的朋友都知道,IPC提升18%是一件非常困难的事情,因此虽然10nm处理器主频降低,但考虑到大幅提升的IPC,10nm处理器的性能还是值得期待的。

此前GeekBench 4跑分露出了英特尔10代酷睿,也就是首批10nm酷睿处理器的表现,其最终成绩非常不错。而近日,英特尔10nm制程工艺的基本指标也被放了出来,如下:

从上图可知,英特尔10nm制程在晶体管密度上做到了100.76Mtr/mm2、栅极间距54×44nm,SRAM面积为0.0312μm2,与台积电7nm制程相比,在基本指标上均取得大幅领先。因此即便之前英特尔官方公布的10nm处理器主频下降不少,但从IPC性能、晶体管密度、栅极间距等其它关键指标来看,英特尔10代酷睿的性能发挥值得期待。

编辑点评

目前,英特尔10nm制程处理器已经大规模发货,不过首批都是应用于轻薄型笔记本电脑上的低压U系列处理器,也就是Ice Lake-U,至于移动级45W标压处理器、桌面65W/95W处理器、甚至是为专业设计师、视频剪辑提供的发烧平台Ice Lake-X、至强D等,还需要等到明年才能看到。

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