中关村在线

内存硬盘

资本市场下的一盘大棋 QLC是升级还是降级

是不是很好奇存储为什么还有降级这么一说,这又和资本市场有什么必然的联系呢?别着急咱们慢慢聊。

我们先来澄清一下本文有关“存储”的一个事实,这里的存储我们指的是内存硬盘,并非企业级的大型存储基站,因为这对于一般用户来说基本是用不到,我们只谈一般用户能在个人电脑上能用到的存储。

我们仔细存储市场上变化,尤其是价格变化,从来都没有真正的稳定过,大起大落是常态。从SLC、MLC、TLC即便就算到了QLC我们一直都是在听上游厂商的话,在被上游厂商牵着鼻子走。

先介绍下SLC、MLC、TLC、QLC

SLC全称Single-Level Cell,每Cell仅存放1bit数据,速度快寿命长,价格非常昂贵,价格至少是MLC数倍。

MLC全称Multi-Level Cell,每Cell仅存放2bit数据,速度一般寿命一般。

TLC全称Trinary-Level Cell,每Cell仅存放3bit数据,速度慢寿命短,价格便宜。

QLC则每个Cell单元储存4个数据,相对于TLC而言,成本更低、容量更大、寿命更短。

从上边对四个颗粒介质能发现,进入到了QLC时代的我们对于存储的更换频率将会变的更大,SLC那种恨不得能用上好几十年的硬盘也随之逝去,不过,话又说回来要是一个硬盘能用上好几十年,厂商们不早就饿死了。想要赚到更多的钱,加快更换频率这一点上就能充分体现出了资本市场是有多么万恶。

正因如此这盘大棋的第一步也就开始了,这里倒不是说SLC、MLC、TLC、QLC这四种颗粒介质有什么特别大的差别,关键的点在于单元存储数据的个数。

为什么SLC速度快寿命更长呢?SLC架构由于每Cell仅存放1bit数据,故只有高和低2种电平状态。而MLC架构每Cell需要存放2个bit,即电平至少要被分为4档,TLC则为8档,QLC则为16档。

SLC每Cell只有开和关两种状态非常稳定,就算其中一个Cell损坏,对整体的性能也不会有影响。而MLC有四种状态,意味着MLC存储时要更精确地控制每个存储单元的充电电压,读写时就需要更长的充电时间来保证数据的可靠性,而且一旦出现错误,就会导致2倍及以上的数据损坏,TLC、QLC的故障率就更不用说,都是在以几何倍数的故障率增长。

而SLC价格更贵的原因在于SLC的一个Cell只存1bit数据,MLC、TLC、QLC的一个Cell却能存2bit或者更多的bit数据,但芯片的体积并没增加,等于压缩存储了数据,这样的结果就是相同的一块芯片存储的容量变大,因此,MLC、TLC、QLC的自然价格就便宜了。

那么,是不是QLC就是在降级?

当然不是,因为QLC遇到了好时候。如今的NAND闪存早进入3D NAND时代了,跟2D NAND时代不一样了,而3D NAND时代的QLC闪存也不同于2D NAND时代的QLC闪存,这是双方技术路线决定的。

在2D NAND闪存时代,厂商为了追求NAND容量提升,需要不断提升NAND制程工艺,所以NAND前几年从50nm不断进入30nm、20nm以及10nm时代。

这就好像CPU工艺不断的迭代升级,晶体管的密度增加无疑是有好处的,但你不能说他增加了晶体管的密度就容易在运行的时候出错,因为不只是产品在升级,制造产品的技术也同样在升级。提升了NAND容量,降低了成本,但是NAND工艺提升意味着也使得用于阻挡电子的二氧化硅层越来越薄,导致可靠性变差,而MLC、TLC、QLC闪存穿越二氧化硅层的频率逐级升高,也会导致氧化层变薄,这就是P/E寿命不断降低的原因。

身处3D NAND时代真的是一件好事

走到3D NAND时代,提升NAND容量靠的不是微缩制程工艺了,而是靠堆栈的层数,所以工艺变得不重要了,NAND厂商甚至可以使用之前的工艺,比如三星最初的3D NAND闪存使用的还是40nm工艺,可靠性要比20nm、10nm级工艺高得多。

从SLC、MLC、TLC再到QLC时代,我们必须要做出选择。广大的读者朋友们,你会选择QLC存储吗?

展开全文
人赞过该文
内容纠错

相关电商优惠

评论

更多评论
还没有人评论~ 快来抢沙发吧~

读过此文的还读过

点击加载更多
说点什么吧~ 0

发评论,赚金豆

收藏 0 分享
首页查报价问答论坛下载手机笔记本游戏硬件数码影音家用电器办公打印 更多

更多频道

频道导航
辅助工具