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资本市场下的一盘大棋 QLC是升级还是降级

是不是很好奇存储为什么还有降级这么一说,这又和资本市场有什么必然的联系呢?别着急咱们慢慢聊。

我们先来澄清一下本文有关“存储”的一个事实,这里的存储我们指的是内存硬盘,并非企业级的大型存储基站,因为这对于一般用户来说基本是用不到,我们只谈一般用户能在个人电脑上能用到的存储。

我们仔细存储市场上变化,尤其是价格变化,从来都没有真正的稳定过,大起大落是常态。从SLC、MLC、TLC即便就算到了QLC我们一直都是在听上游厂商的话,在被上游厂商牵着鼻子走。

先介绍下SLC、MLC、TLC、QLC

SLC全称Single-Level Cell,每Cell仅存放1bit数据,速度快寿命长,价格非常昂贵,价格至少是MLC数倍。

MLC全称Multi-Level Cell,每Cell仅存放2bit数据,速度一般寿命一般。

TLC全称Trinary-Level Cell,每Cell仅存放3bit数据,速度慢寿命短,价格便宜。

QLC则每个Cell单元储存4个数据,相对于TLC而言,成本更低、容量更大、寿命更短。

从上边对四个颗粒介质能发现,进入到了QLC时代的我们对于存储的更换频率将会变的更大,SLC那种恨不得能用上好几十年的硬盘也随之逝去,不过,话又说回来要是一个硬盘能用上好几十年,厂商们不早就饿死了。想要赚到更多的钱,加快更换频率这一点上就能充分体现出了资本市场是有多么万恶。

正因如此这盘大棋的第一步也就开始了,这里倒不是说SLC、MLC、TLC、QLC这四种颗粒介质有什么特别大的差别,关键的点在于单元存储数据的个数。

为什么SLC速度快寿命更长呢?SLC架构由于每Cell仅存放1bit数据,故只有高和低2种电平状态。而MLC架构每Cell需要存放2个bit,即电平至少要被分为4档,TLC则为8档,QLC则为16档。

SLC每Cell只有开和关两种状态非常稳定,就算其中一个Cell损坏,对整体的性能也不会有影响。而MLC有四种状态,意味着MLC存储时要更精确地控制每个存储单元的充电电压,读写时就需要更长的充电时间来保证数据的可靠性,而且一旦出现错误,就会导致2倍及以上的数据损坏,TLC、QLC的故障率就更不用说,都是在以几何倍数的故障率增长。

而SLC价格更贵的原因在于SLC的一个Cell只存1bit数据,MLC、TLC、QLC的一个Cell却能存2bit或者更多的bit数据,但芯片的体积并没增加,等于压缩存储了数据,这样的结果就是相同的一块芯片存储的容量变大,因此,MLC、TLC、QLC的自然价格就便宜了。

那么,是不是QLC就是在降级?

当然不是,因为QLC遇到了好时候。如今的NAND闪存早进入3D NAND时代了,跟2D NAND时代不一样了,而3D NAND时代的QLC闪存也不同于2D NAND时代的QLC闪存,这是双方技术路线决定的。

在2D NAND闪存时代,厂商为了追求NAND容量提升,需要不断提升NAND制程工艺,所以NAND前几年从50nm不断进入30nm、20nm以及10nm时代。

这就好像CPU工艺不断的迭代升级,晶体管的密度增加无疑是有好处的,但你不能说他增加了晶体管的密度就容易在运行的时候出错,因为不只是产品在升级,制造产品的技术也同样在升级。提升了NAND容量,降低了成本,但是NAND工艺提升意味着也使得用于阻挡电子的二氧化硅层越来越薄,导致可靠性变差,而MLC、TLC、QLC闪存穿越二氧化硅层的频率逐级升高,也会导致氧化层变薄,这就是P/E寿命不断降低的原因。

身处3D NAND时代真的是一件好事

走到3D NAND时代,提升NAND容量靠的不是微缩制程工艺了,而是靠堆栈的层数,所以工艺变得不重要了,NAND厂商甚至可以使用之前的工艺,比如三星最初的3D NAND闪存使用的还是40nm工艺,可靠性要比20nm、10nm级工艺高得多。

从SLC、MLC、TLC再到QLC时代,我们必须要做出选择。广大的读者朋友们,你会选择QLC存储吗?

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