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三星半导体:3nm最早2021年投入量产

中关村在线消息:在去年5月的Samsung Foundry Forum论坛上,三星宣布采用5/4/3nm工艺技术。根据Tom's Hardware今天的新闻,三星计划最早在2021年开始大规模生产3nm工艺芯片。

三星半导体:3nm最早2021年投入量产

此外,三星还表示,将在今年下半年开始生产7nm的超视距芯片。去年,三星还表示,它将在2020年使用4纳米砷化镓场效应晶体管(gate all around fet)工艺。然而,一些业内人士,包括加纳副总裁王国荣(Samuel Wang)对Gaafet芯片能否在2022年投产表示怀疑。

尽管台积电和格罗方德Global Foundries在EUV芯片开发方面并没有落后,但三星也有自己的优势。三星公司内部开发了自己的EUV掩膜检测工具,但尚未开发出类似的商业工具。

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