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96层堆叠 三星量产第五代V-NAND闪存

近日,三星电子正式宣布开始批量生产第五代3D V-NAND闪存,该芯片采用96层堆叠设计,相比上一代产品,第五代性能V-NAND性能更高,功耗更低,V-NAND另一大亮点则是首次使用Toggle DDR 4.0接口。

三星V-NAND(图片源自samsung

全新V-NAND相比64层NAND在性能上有所增加,数据传输速度可达到1.4Gbps,写入延迟仅为500微秒,相比上代提升30%,读取信号响应时间缩短到50微秒,性能的提升主要源于主要工作电压从1.8V降至1.2V。

第五代V-NAND芯片结构与前代相似,成金字塔状堆叠,中间留有微小孔用作通道,尺度仅为几百微米,内部存储单元集成数超850亿个,每个单元存储数据达到3比特。

三星表示第五代V-NAND将广泛应用于移动设施和企业服务器,并持续扩大全新V-NAND的产能。

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