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速度是U盘的一万倍 开创第三类存储技术

近日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队在存储领域取得技术突破,开创了第三类存储技术,该技术写入速度比目前U盘快了一万倍,且用户可自行决定数据存储时间。在国际上,存储设备的“写入速度”和“非易失性”两种特性一直不可兼得。

两位教授的研发团队不仅实现了“内存级”的读写速度,还在数据存储时间方面取得了突破。

据张卫教授介绍,目前半导体电荷存储技术主要有两类:

第一类是易失性存储,如计算机内存,数据写入仅需几纳秒左右,但掉电后数据会立即消失。

第二类是非易失性存储,如U盘,数据写入需要几微秒到几十微秒,但无需额外能量可保存10年左右。

这种设备能够实现数据有效期截止后自然消失,解决了特殊场景下数据传输与保密要求之间的矛盾。

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