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第二代10nm级DDR4内存量产:降价没悬念

三星电子今天宣布,开始量产业界首款、采用第二代10nm工艺(1y-nm)级别的DRAM芯片。

需要注意的是,这里并不是10nm,预计是14~18nm之间。

其中,单芯片容量8Gb(1GB)。相较1x-nmm,工艺层面上,性能提升10%,功耗和封装面积减小,能效提升15%。

同时,阵脚带宽3600Mbps起(可以理解为DDR4-3600),也比1x-nm时代的DDR-3200进步。

1y-nm工艺,三星没有引入EUV,而是通过加入高灵敏度的单元数据传感系统和减少气隙实现。

与此同时,三星表示,也会进一步加快依赖DRAM技术的DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等形态存储芯片的开发工作。

目前,AMD/Intel已经验证通过1y-nm内存。

当然,对于普通消费者来说,此举还意味着,1x-nm以及更老的工艺的内存成本和最终价格将有望下探。

按照集邦科技的说法,内存/SSD的基础产能从明年将得到极大的满足,最终带动价格下探。

虽然从利润的角度看,并不一定意味着跌入白菜谷底,但起码对装机党来说,也不用很头疼了。

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